【摘要】 本发明提供了一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，包括以下步骤： (1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉；(2)将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中， 将坩埚置于中频感应加热炉中，对生长室抽真空，将温度升高至1000℃；向生长室中充入高 纯氩气、氦气或者氩气和氢气的混合物，加热至合成温度1500℃，保持一定的反应时间后降 至室温；(3)将一次合成中所得产物粉末混合均匀，在1600℃到2000℃二次合成温度，合成 时间2小时-10小时，降至室温即可得到适于半导体SiC单晶生长的高纯SiC粉料。本发明 采用二次合成法，不仅可以使初次合成时剩余的Si和C单质完全反应，且有效去除Si粉和 C粉中携带的大部分杂质元素。 【专利类型】发明授权 【申请人】山东大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】250061山东省济南市历下区经十路73号 【申请人地区】中国 【申请人城市】济南市 【申请人区县】历下区 【申请号】CN200810016665.6 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100595144C 【公开公告日】2010-03-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100595144C 【授权公告日】2010-03-24 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C01B31/36 【发明人】胡小波; 宁丽娜; 李娟; 王英民; 徐现刚 【主权项内容】1.一种用于半导体单晶生长的高纯碳化硅粉的人工合成方法，其特征在于，包括以下步骤： (1)按摩尔比1∶1的比例取Si粉和C粉，两者的纯度均大于99.998％，粒度均小于 500μm； (2)初次合成：将所取Si粉和C粉混合均匀后放入坩埚中，然后将坩埚置于中频感应 加热炉中，对加热炉的生长室抽真空，除去生长室中的氧气和氮气，同时将温度升高至1000 ℃；然后向生长室中充入高纯氩气、氦气或氩气和氢气的混合气体，氩气、氦气、氢气的纯 度均大于99.999％，加热至合成温度1500℃，保持反应时间15分钟，而后降至室温，将反 应后的产物中大于1厘米的团聚物研成小于1mm的粉末； (3)二次合成：将初次合成中所得产物粉末混合均匀，重新放入坩埚中，将坩埚置于中 频感应加热炉中，对加热炉的生长室抽真空，同时将温度升高至1000℃；然后向生长室充入 纯度均大于99.999％的高纯氩气、氢气或两者的混合气体，加热至合成温度1600℃到2000 ℃，合成时间为2小时-10小时，而后降至室温，即可得到适于半导体SiC单晶生长的高纯 SiC粉料。 【当前权利人】山东天岳先进科技股份有限公司 【当前专利权人地址】山东省济南市槐荫区天岳南路99号 【统一社会信用代码】12100000495570303U 【引证次数】2.0 【被引证次数】10 【他引次数】2.0 【被自引次数】2.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】44
