【摘要】 磁性增强的H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，属于信息技术自旋电子材料领域。该发明通过向MnxGe1-x薄膜中掺杂H且其含量2at％-35at％，获得居里温度＞270K的磁性半导体薄膜。 【专利类型】发明授权 【申请人】山东大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】250100 山东省济南市历下区山大南路27号 【申请人地区】中国 【申请人城市】济南市 【申请人区县】历下区 【申请号】CN200810014729.9 【申请日】2008-03-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101299368B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101299368B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01F1/40; H01F10/193; H01F41/18 【发明人】颜世申; 姚新欣; 乔瑞敏; 秦羽丰; 孙毅彦; 陈延学; 刘国磊; 梅良模 【主权项内容】H掺杂MnxGe1-x磁性半导体薄膜，其特征在于，该材料中掺杂有2at％-35at％的氢原子，x＝0.03-0.6。 【当前权利人】山东大学 【当前专利权人地址】山东省济南市历下区山大南路27号 【统一社会信用代码】12100000495570303U 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】3
