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一种聚变堆用低活化马氏体钢的冶炼生产方法专利

发布时间:2026-06-25

【摘要】 一种聚变堆用低活化马氏体钢的冶炼生产方法,第一步,在真空感应炉内对炉料进行熔炼:(1)真空度0.1-10Pa充氩气至0.005-0.08MPa,熔化温度1450~1650℃;(2)合金加料顺序,首先熔化纯Fe,然后加入Cr、W,接着加入Ta、V,最后添加C、Mn,同时视纯铁中氧含量水平,在加Cr之前添加少量C进行脱氧处理;(3)在线检测合金元素成分并依据测试结果增补合金元素;(4)成分合格后在真空下浇注,浇注温度1450~1550℃。第二步,根据真空感应熔炼得到的铸锭成分和内部质量水平,选择是否在真空电渣重熔炉或者是氩气保护的普通电渣重熔炉内进行重熔精炼;第三步,锻造开坯和热轧生产制备所需CLAM钢型材。本发明具有冶炼操作简单,工艺稳定,生产成本低的特点,生产出的CLAM钢成分、夹杂物满足设计要求,无成分和组织偏析,纯净度高,适应于聚变堆应用。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院等离子体物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】230031 安徽省合肥市蜀山湖路350号合肥市1126信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】蜀山区 【申请号】CN200810021328.6 【申请日】2008-07-17 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101328522B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101328522B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C21C5/00; C22B9/18; C21D8/02 【发明人】刘少军; 黄群英; 李春京; 吴宜灿 【主权项内容】一种聚变堆低活化马氏体钢的冶炼生产方法,其特征在于:各成分占总质量的百分比为:基体为Fe元素,Cr 8.5-9.5%,W 1.3-1.7%,V0.15-0.25%,Ta 0.12-0.18%,Mn 0.40-0.50%,C 0.08-0.12%。熔炼工艺过程如下:第一步,在真空感应炉内对炉料进行熔炼:1)用FeCa合金对纯铁进行脱S处理;2)熔炼前对合金元素Cr、W、V、Ta、Mn进行高温真空脱水除气处理;或者采用非真空脱水除气处理工艺:首先对Al2O3粉或CaF2粉进行高温脱水,然后用Al2O3粉或CaF2粉包埋合金以隔绝空气,最后在非真空环境下加热脱水除气,加热温度300-800℃;3)按照目标马氏体钢设计成分进行配料,纯铁装入真空感应炉,合金元素按Cr、W、V、Ta、C、Mn顺序装入真空合金料斗;4)真空感应熔炼炉抽真空至0.1-10Pa后,充高纯氩气至0.005-0.08MPa,熔化纯铁,并加C脱O至5-100ppm;5)合金化:通过料斗加入纯金属Cr和W,升温至1450-1650℃,熔化完成后依次加入纯金属V、Ta,待熔化后,抽真空至0.1-10Pa以下保持3-10分钟;然后充氩气至0.005-0.08MPa后加入纯C和纯金属Mn;6)在线检测合金元素成分并依据测试结果增补合金元素,待成分合格后在1450-1550℃出钢并进行真空浇注得铸锭;检查铸锭成分和内部组织,若满足要求,即可完成熔炼工作,否则需进行第二步辅助熔炼;第二步,对铸锭进行锻造以制备重熔自耗电极,锻造温度800-1200℃,奥氏体化保温时间45-75min,锻造比>4∶1;然后在真空电渣炉或氩气保护的普通电渣炉中重熔精炼,冶炼出成分和内部组织合格的CLAM钢铸锭:1)选用高纯Al2O3+CaF2或者CaO+Al2O3+CaF2作为电渣; 2)对电渣进行干燥处理,熔化后注入到真空电渣炉或普通电渣炉的结晶器中;对于真空电渣重熔炉,抽真空至0.1-5Pa后充高纯氩气至0.005-0.05MPa;对于普通电渣重熔炉,向结晶器中充高纯氩气保护;3)采用电流大小来控制重熔自耗电极的熔化速度,电流范围为200-500A;4)重熔结束后,取出重熔铸锭;Al2O3+CaF2渣系的组成为:Al2O320-40%+CaF2余量;CaO+Al2O3+CaF2渣系的组成为:CaO5-15%+Al2O320-40%+CaF2余量。 【当前权利人】中国科学院等离子体物理研究所 【当前专利权人地址】安徽省合肥市蜀山湖路350号合肥市1126信箱 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】31

  • 【摘要】1.本外观设计右视图与左视图对称,故省略右视图; 2.本外观设计产品后视图、仰视图无设计要点,故省略后视图、仰视图。【专利类型】外观设计【申请人】天津瓦尔登装饰家居有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】300380天津市西青区辛口
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  • 【专利类型】外观设计【申请人】宁夏银星能源股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】750002宁夏回族自治区银川市西夏区黄河东路620号【申请人地区】中国【申请人城市】银川市【申请人区县】西夏区【申请号】CN200830342541.8
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  • 【摘要】本发明涉及一种在柱面上反射式变栅距光栅的制作,解决了现有绝对式角度位移传感器中柱面变栅距光栅的制作难题。具体制作方法:在光学玻璃基底上涂光刻胶,用全息法在光刻胶上制得变栅距光栅图形;用溅射法在浮雕结构变栅距光栅图形上镀铬和镀金,再电