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一种高压电系数的铌酸盐基无铅压电陶瓷及其制备方法专利

发布时间:2026-06-24

【摘要】 一种高压电系数的铌酸盐基无铅压电陶瓷,以通式(1-z)(Nav-tKu-x-wLixHwAgt)(Nb1-x-y-wTaxSbyTiw)O3·zMαOβ来表示,其中0.5<v<0.6,0≤w<0.02,v+u=1,0≤t<0.03,0.02<x<0.07,0.03<y<0.08,0≤z<5%。其中,x、y、u、v、w、t为各元素在材料组分中所占的原子百分比,z为氧化物重量占原料总量的质量百分比;H选自Ba、Mg、Sr、Ca中的至少一种;  MαOβ是一种或多种掺杂氧化物,M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,其制备方法包括原料混合、预烧、造粒、制作素坯、排胶、烧结、被银、极化步骤。该无铅压电陶瓷的d33可达350pC/N,kp可达50%,介电常数εr为1550,损耗角正切tanδ<0.03,Tc可高达310℃;且时间稳定性好,工艺简单,可用于制作驱动器、发声器、超声换能器、谐振器等器件的材料。 【专利类型】发明授权 【申请人】合肥工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】230009 安徽省合肥市屯溪路193号 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】包河区 【申请号】CN200810025235.0 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101269962B 【公开公告日】2010-10-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101269962B 【授权公告日】2010-10-06 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C04B35/495; C04B35/622 【发明人】左如忠; 付健; 方旭生; 马兵 【主权项内容】 。一种高压电系数的铌酸盐基无铅压电陶瓷,其组成由以下通式(1)表达:(1-z)(Nav-tKu-x-wLixHwAgt)(Nb1-x-y-wTaxSbyTiw)O3·zMαOβ……………………………(1)通式(1)中x、y、u、v、w、t为各元素在材料组分中所占的原子百分比,z为氧化物重量占原料总量的质量百分比;0.5<v<0.6,0≤w<0.02,v+u=1,0≤t<0.03,0.02<x<0.07,0.03<y<0.08,0≤z<5%;其中,H为至少选自下列金属元素的一种:Ba、Mg、Sr、Ca;MαOβ是一种或多种掺杂氧化物,M为+1~+6价且能与氧形成固态氧化物的元素,选自下列元素中至少一种:Cu、Fe、Mn、Zn、Si、Bi、V和W,α和β分别表示相关氧化物中相应的元素M和O的原子数。 【当前权利人】合肥工业大学 【当前专利权人地址】安徽省合肥市屯溪路193号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400016984P 【引证次数】2.0 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】16

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