【摘要】 一种锡硫化物薄膜太阳电池，包括导电玻璃/金属栅电极和金属背电极，其特征是在导 电玻璃/金属栅电极和金属背电极之间有构成单结或多结的n-SnS2或其复合物薄膜以及 p-SnS或其复合物薄膜。所述的复合物是指对二硫化锡(n-SnS2)和硫化亚锡(p-SnS)进行 掺杂得到的锡硫化物。本太阳电池原料丰富，安全环保，加工方便，利用SnS2和SnS 组成元素相同、导电类型不同，容易实现能隙匹配、异质结过渡和载流子良好的输运特性， 辅之金属锡等电极，有效地解决好载流子的收集问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】合肥工业大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】230009安徽省合肥市屯溪路193号 【申请人地区】中国 【申请人城市】合肥市 【申请人区县】包河区 【申请号】CN200810156817.2 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100587977C 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100587977C 【授权公告日】2010-02-03 【授权公告年份】2010.0 【发明人】史成武; 李兵; 梁齐; 吴玉程; 王岩 【主权项内容】1、一种锡硫化物薄膜太阳电池，包括导电玻璃/金属栅电极和金属背电极，其特征在于： 在导电玻璃/金属栅电极和金属背电极之间有n-SnS2复合物薄膜/p-SnS复合物薄膜或者p -SnS复合物薄膜/n-SnS2复合物薄膜；所述的n-SnS2复合物薄膜掺杂元素选自锑或铋或 锡或铜或氟或硒；所述的p-SnS复合物薄膜掺杂元素选自锑或铋或锡或铜或氟或硒；掺杂 量以四氯化锡或氯化亚锡同掺杂元素相应化合物物质的质量比计，为1∶0.001～0.02。 ： 【当前权利人】合肥工业大学 【当前专利权人地址】安徽省合肥市屯溪路193号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000400016984P 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
