【摘要】 LCOS芯片像素器件结构，在一块P型硅衬底上分别按照行与列平行排布若干个像 素单元，每行或每列的像素单元包括一由p+-i-P电容器的上极板、薄膜绝缘层、p+-i-P 电容器的下极板共同构成的p+-i-P电容器和一NMOS管，所述NMOS管中的NMOS管的漏 极与p+-i-P电容器的上极板相连接，每行像素单元中NMOS管的栅极分别向两边延伸直 至与左、右两个相邻像素单元中的NMOS管的栅极相连形成一条扫描线，且每行像素单 元中的扫描线由一条矩形N型掺杂多晶硅构成；每列像素单元中设置一条信号线，且每 列像素单元中NMOS管的源极连接到信号线，并包括所述信号线垂直于所述扫描线。 【专利类型】发明授权 【申请人】天津力伟创科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】300384天津市华苑产业园区华天道2号火炬大厦5031室 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810053147.1 【申请日】2008-05-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100593751C 【公开公告日】2010-03-10 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100593751C 【授权公告日】2010-03-10 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/105; H01L23/522 【发明人】范义; 代永平; 范伟 【主权项内容】1、LCOS芯片像素器件结构，在一块P型硅衬底(1)上分别按照行与列平行排布 若干个像素单元，其特征在于，每行或每列的像素单元包括一由p+-i-P电容器的上极 板(23)、薄膜绝缘层(6)、p+-i-P电容器的下极板(22)共同构成的p+-i-P电容器(24) 和一NMOS管(12)，所述NMOS管(12)中的NMOS管的漏极(8)与p+-i-P电容器的上 极板(23)相连接，每行像素单元中NMOS管的栅极(14)分别向两边延伸直至与左、 右两个相邻像素单元中的NMOS管的栅极(14)相连形成一条扫描线(31)，且每行像 素单元中的扫描线(31)由一条矩形N型掺杂多晶硅构成；每列像素单元中设置一条 信号线(32)，且每列像素单元中NMOS管的源极(11)连接到信号线(32)，并包括所 述信号线(32)垂直于所述扫描线(31)。 【当前权利人】深圳市长江力伟股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区公明办事处同观大道3号 【专利权人类型】有限责任公司(法人独资) 【统一社会信用代码】91120116671461473X 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
