【摘要】 本发明涉及一种铜铟镓硒半导体薄膜的制备方法，先采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性衬底上溅射Mo层，在Mo层上分别溅射Cu、In、Ga，制成的预制层反应基片，再通过封装、升温、降温制备出本发明铜铟镓硒半导体薄膜。由于将反应物与溅射有金属预制膜的基片放在一个独立的反应容器内，反应容器被高纯惰性气体保护，进行整体加热，保持充足的硒气氛，使蒸发出来的硒气氛的颗粒度减小，重复性好，不可控因素少，原材料损失小，对镓的掺杂可适当控制，有利于硒化反应，并且对设备的要求低，反应物消耗小，保持较高的光电转换效率，更适合于工业化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【申请人类型】企业 【申请人地址】300381 天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】天津市 【申请人区县】南开区 【申请号】CN200810154678.X 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101771099A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101771099B 【授权公告日】2011-08-17 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】赵彦民; 方小红; 王庆华; 冯金晖 【主权项内容】一种铜铟镓硒半导体薄膜的制备方法，先采用公知技术真空磁控溅射方法在刚性或柔性衬底上溅射Mo层，在Mo层上分别溅射Cu、In、Ga，制成的预制层反应基片，其特征在于包括以下制备过程：(1)封装：将预制层反应基片和反应物均装入一个可开口的容器内，预制层反应基片和反应物在容器内保持一定距离，将容器进行5Pa以下抽真空，容器封口后放入管道，将管道两端封闭，然后向管道充入惰性气体，使管道内的压力接近一个大气压；(2)升温：通过磁力传动装置将管道整体放入控温炉内，进行快速升温，使预制层反应基片与反应物进行反应；(3)降温：反应完成后，将管道整体进行快速降温，对管道进行抽真空，真空度达到10Pa以下后，再次对管道进行降温处理，待温度降至室温后，取出基片，即制备出本发明铜铟镓硒半导体薄膜。 【当前权利人】中国电子科技集团公司第十八研究所 【当前专利权人地址】天津市南开区李七庄凌庄子道18号 【引证次数】1.0 【被引证次数】10 【他引次数】1.0 【被自引次数】1.0 【被他引次数】9.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】10
