【摘要】 本发明公开了一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介质膜和低折射率无机介质膜依次交错排列而形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层，及位于该膜系最外层的透明导电膜层，透明导电膜层的厚度满足方块电阻需要值的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率和低折射率无机介质构成的膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射的方法沉积，从而形成整体透过率达到85％以上的高透光导电膜系。本发明具有高电阻稳定性和高透光性，适用于制造高透光导电材料，特别适用于耐温能力在200℃以下的基材制成的导电材料。。 【专利类型】发明申请 【申请人】甘国工 【申请人类型】个人 【申请人地址】610100 四川省成都市龙泉驿区经济技术开发区星光中路103号东泰(成都)工业有限公司 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】龙泉驿区 【申请号】CN200810046218.5 【申请日】2008-10-07 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101713834A 【公开公告日】2010-05-26 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101713834B 【授权公告日】2011-12-14 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G02B1/11; B32B7/02; G06F3/041; G02B1/116 【发明人】甘国工 【主权项内容】一种高透光导电膜系，在透明基材的一表面依次沉积由高折射率无机介质膜、低折射率无机介质膜依次交错排列形成的至少两层无机介质膜的无机介质膜层及位于该无机介质膜层最外层的透明导电膜层，其特征在于透明导电膜层的厚度为满足方块电阻需要的厚度8～60nm，至少两层的由高折射率无机介质膜和低折射率无机介质膜构成的无机介质膜层和透明导电膜层都采用真空磁控溅射的方法沉积，从而形成在380nm～780nm光波长范围内整体透过率达到85％以上的高透光导电膜系。 【当前权利人】四川金石东方新材料科技有限公司 【当前专利权人地址】四川省成都市双流区西南航空港经济开发区工业集中发展区六期内 【引证次数】5.0 【被引证次数】36 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【被他引次数】36.0 【家族引证次数】14.0 【家族被引证次数】37
