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高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】 一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a、无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈,溶解于有机溶剂中形成无水溶液;b、胶体制备:在无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛或聚乙二醇或聚乙烯基吡咯烷酮或聚乙烯醇或聚氧化乙烯形成胶体;c、胶体涂敷与干燥:将胶体涂覆在基片上并干燥;d、烧结成相:再将基片放入烧结炉,以5-100℃/min升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,以1-2℃/min降至室温。该方法制作工艺简单,操作控制容易,成本低,不污染环境;制备得到的氧化铈单层缓冲层的临界厚度达到150-200nm。 【专利类型】发明授权 【申请人】西南交通大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610031 四川省成都市二环路北一段111号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】金牛区 【申请号】CN200810044629.0 【申请日】2008-06-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281806B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281806B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01B12/00; H01B13/00; H01L39/24 【发明人】赵勇; 蒲明华; 张红; 李果; 雷鸣; 程翠华 【主权项内容】一种高分子辅助沉积制备高温超导涂层导体缓冲层的方法,其具体作法是:a、无水溶液制备:按稀土或锆与铈的离子比x∶1-x,0.01≤x≤0.5称量稀土乙酸盐或稀土丙醇盐或稀土乙酰丙酮盐或丙醇锆或锆酸四丁酯与乙酰丙酮铈,然后溶解于有机溶剂乙酸或甲醇或乙二醇甲醚中,形成无水溶液;稀土为钇(Y)、镧(La)、镨(Pr)、钕(Nd)、钐(Sm)、铕(Eu)、钆(Gd)、铽(Tb)、镝(Dy)、钬(Ho)、铒(Er)、铥(Tm)、镱(Yb)、镥(Lu)中的一种;b、胶体制备:在a步的无水溶液中加入聚乙烯醇缩丁醛(PVB)或聚乙二醇(PEG)或聚乙烯基吡咯烷酮(PVP)或聚乙烯醇(PVA)或聚氧化乙烯(PEO)形成胶体;c、胶体涂敷与干燥:将b步制得的胶体涂覆在基片上,并干燥;d、烧结成相:将干燥后的基片放入烧结炉中烧结成相,将炉温以5-100℃/min的速度升至850℃-1150℃,保温0.25-2小时,随后将炉温以1-2℃/min的速率降至室温,即得。 【当前权利人】西南交通大学 【当前专利权人地址】四川省成都市二环路北一段111号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12100000450752090P 【引证次数】4.0 【自引次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】8

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  • 【专利类型】外观设计【申请人】成都金亚科技股份有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610000四川省成都市蜀汉西路【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】金牛区【申请号】CN200830343655.4【申请日】2008-1
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