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一种有机电致发光器件的制备方法专利

发布时间:2026-06-22

【摘要】 本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法,首先在器件阳极上构筑表面活性剂有序纳米薄膜,然后在多层膜中引入氧化剂活性点,让导电聚合物单体吸附在氧化剂活性点发生聚合,得到导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构作为器件的空穴注入层,再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。空穴注入层中的导电聚合物是通过化学原位聚合的方法嵌入多层有序膜,具有电导率高、薄膜平整度好的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件,而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。 数据由整理 【专利类型】发明授权 【申请人】电子科技大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】610054 四川省成都市建设北路二段四号 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】郫都区 【申请号】CN200810046330.9 【申请日】2008-10-21 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373816B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373816B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L51/56 【发明人】杨亚杰; 蒋亚东; 徐建华; 于军胜 【主权项内容】一种有机电致发光器件的制备方法,器件包括阳极层、阴极层以及设置在所述阳极层和阴极层之间的有机功能层,所述有机功能层至少包括空穴注入层和发光层,所述发光层在外加电源的驱动下发光,其特征在于,制备方法包括以下步骤:(1)将器件阳极层进行表面处理;(2)将表面活性剂溶于溶剂中,形成表面活性剂单分子溶液,所述表面活性剂包括十八烷酸、二十烷酸和二十二烷酸;(3)将氧化剂溶于亚相中,并调整溶液的pH为7~9,所述氧化剂溶于亚相水溶液,其发生电离后能够与离子化表面活性剂形成稳定的复合单分子膜;(4)将表面活性剂单分子溶液滴加于步骤(3)所得的氧化剂的亚相,并形成复合单分子膜;(5)控制LB拉膜机滑障压缩复合单分子膜到成膜膜压,采用垂直成膜的方式将复合单分子膜转移至步骤(1)所得的阳极层上;(6)将沉积了复合单分子膜的阳极层首先暴露于氧化性气体中;(7)将沉积了复合单分子膜的阳极层再暴露于导电聚合物单体气氛中,所述导电聚合物材料包括3,4-聚乙撑二氧噻吩和聚吡咯;(8)将沉积了空穴注入层的阳极层转移至有机真空蒸发室,按照器件结构依次蒸镀有机功能层,所述有机功能层包括发光层、空穴传输层或者电子传输层;(9)在有机层蒸镀结束后将其传送至金属真空蒸发室中进行阴极层的制备;(10)将步骤(9)所得到的器件传送到手套箱进行封装,手套箱为氮气氛围;(11)测试器件的电流-电压-亮度特性,同时测试器件的发光光谱参数。 【当前权利人】电子科技大学 【当前专利权人地址】四川省成都市建设北路二段四号 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】121000004507193117 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】13

  • 【摘要】本发明实施例公开了一种数据访问的处理方法、系统和装置,所述数据 访问的处理方法包括:根据应用级别确定当前应用对应的优先级级别;获得 与所述当前应用相关的输入输出IO数据包,所述IO数据包携带有与所述 优先级级别对应的优先级标识;根据
  • 【摘要】本发明属于视频编码技术,具体涉及一种变换量化方法。本发明所要解决的技术问题是 ,提供一种减低视频频编码复杂度的变换量化方法。本发明通过在变换量化前进行预判,可 以提前检测出变换量化后残差块系统为零的情况,从而省去全零块的变换量化的过
  • 【摘要】省略其他视图。【专利类型】外观设计【申请人】段晋蓉【申请人类型】个人【申请人地址】610000四川省成都市高新区神仙树南路8号45栋1单元6号【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】武侯区【申请号】CN200830343
  • 【摘要】本发明地下分水岭演示仪,包括有演示屏和隔水底板的箱体,位于箱体内与演示屏平行的且与演示屏和隔水底板间形成窄缝槽渗流演示区的渗流板,在渗流板一边上有位于同一垂面的模拟河水高水位排水孔和模拟河水低水位排水孔,在渗流板上的另一边上有与模拟
  • 【摘要】本发明公开了一种牵引供电系统机车过分相过程中的过电压抑制装置,其组成为:饱和电抗器6与发热电阻7串联,然后串接在牵引机车电压互感器的二次侧52。该装置能有效抑制机车过分相过程中,产生的操作过电压及谐振过电压,避免变电所跳闸或互感器烧
  • 【摘要】本外观设计后视图案,省略后视图。【专利类型】外观设计【申请人】成都川岛食品有限公司【申请人类型】企业【申请人地址】610031四川省成都市金牛区兴川路金牛高科技产业园(北区)【申请人地区】中国【申请人城市】成都市【申请人区县】金牛区