【摘要】 一种逆向照明接近接触纳米光刻装置包括：基片、光刻胶、金属掩模版和均匀准直 照明系统；在基片上面涂有光刻胶，在光刻胶接近接触放置金属掩模版，当均匀准直照 明系统逆向照明，从基片侧向入射到基片上，在光刻胶和金属掩模版之间由于介电常数 的匹配而激发了表面等离子体波，该表面等离子体波具有局部增强效应，通过表面等离 子体波的传播，可以在不需要改动照明系统就将可以接近接触放置的金属掩模版上的图 形转移到光刻胶上，实现超衍射纳米光刻目的，以极低成本实现纳米量级图形的制作。 本发明既提高了光刻分辨力，又降低了成本，提高了工作效率。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院光电技术研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】610209四川省双流350信箱 【申请人地区】中国 【申请人城市】成都市 【申请人区县】双流区 【申请号】CN200810056085.X 【申请日】2008-01-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100587606C 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100587606C 【授权公告日】2010-02-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G03F7/20; G02B27/09; G03F1/00; G03F1/42 【发明人】杨勇; 胡松; 姚汉民; 唐小萍; 邢薇; 赵立新; 张春梅; 严伟 【主权项内容】1、一种逆向照明接近接触纳米光刻装置，其特征在于包括：基片、光刻胶、金属 掩模版和均匀准直照明系统；在基片上面涂有对短波长敏感的光刻胶，在光刻胶接近接 触放置金属掩模版，当均匀准直照明系统逆向照明，从基片未涂覆光刻胶一侧入射到基 片上，在光刻胶和金属掩模版之间由于介电常数的匹配而激发了表面等离子体波，该表 面等离子体波具有局部增强效应，通过表面等离子体波的传播，可以在不需要改动照明 系统就将可以接近接触放置的金属掩模版上的图形转移到光刻胶上，实现超衍射纳米光 刻目的。。 【当前权利人】中国科学院光电技术研究所 【当前专利权人地址】四川省双流350信箱 【统一社会信用代码】12100000450811820A 【引证次数】5.0 【自引次数】1.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】6
