【摘要】 本发明涉及一种垂直型交流发光二极管。交流发光二极管组合结构包含：第一交流发光二极管，包含第一n型半导体层、第一发光层、第一p型半导体层、第一p型电极及第一n型电极；第二交流电发光二极管，包含第二n型半导体层、第二发光层及第二p型半导体层、第二p型电极及第二n型电极；上述的第一交流发光二极管与第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠结构。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】晶元光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹市 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810171058.7 【申请日】2008-11-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740557A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740557B 【授权公告日】2012-08-08 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L25/075; H01L33/00 【发明人】陈威佑; 陈彦文; 徐舒婷; 李宗宪 【主权项内容】一种交流发光二极管组合结构，包含：第一交流发光二极管，包含第一n型半导体层、第一发光层、第一p型半导体层、第一p型电极及第一n型电极；及第二交流发光二极管，包含第二n型半导体层、第二发光层及第二p型半导体层、第二p型电极及第二n型电极；其中该第一交流发光二极管与该第二交流发光二极管形成反向并联的垂直堆叠结构。 【当前权利人】晶元光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹市 【被引证次数】18 【被自引次数】3.0 【被他引次数】15.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】18
