【摘要】 一种平坦化金属凸块表面的方法，包含：提供晶片，于主动面上具有多个金属 凸块，其中每一个金属凸块的表面为粗糙表面；提供平坦装置，其具有上压板；传 送晶片且置放在平坦装置上，以使晶片的主动面的多个金属凸块朝向平坦装置的上 压板的下表面；施加一压力于晶片的主动面的多个金属凸块，是将上压板的下表面 向下且与晶片的主动面上的多个金属凸块的粗糙表面接触，以平坦化晶片的主动面 上的多个金属凸块的粗糙表面；及移除上压板，是将上压板与晶片的主动面上的多 个金属凸块分离，以使得晶片的主动面上的多个金属凸块的表面为平坦化的表面。 ： 【专利类型】发明申请 【申请人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】台湾省新竹科学工业园区新竹县研发一路一号 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810130466.8 【申请日】2008-07-04 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621015A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101621015B 【授权公告日】2011-03-23 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/60; H01L23/485; H01L21/02 【发明人】傅文勇 【主权项内容】1.一种平坦化金属凸块的方法，包含： 提供一晶片，具有一主动面及一背面，且于该主动面上具有多个金属凸块，其 中每一该金属凸块的一表面为一粗糙表面； 提供一平坦装置，其具有一上压板； 传送该晶片置放在该平坦装置上，以使该晶片的该主动面的这些金属凸块朝向 该上压板的一下表面； 施予一压力于该晶片的该主动面的这些金属凸块上，是将该上压板的该下表面 向下且与该晶片的该主动面上的这些金属凸块的该粗糙表面接触，以平坦化该晶片 的该主动面上的这些金属凸块的该粗糙表面；及 移除该上压板，是将该上压板与该晶片的该主动面的这些金属凸块分离，以使 得该晶片的该主动面上的这些金属凸块的该表面为一平坦化的表面。 【当前权利人】南茂科技股份有限公司; 百慕达南茂科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学工业园区新竹县研发一路一号; 百慕大汉米顿 【引证次数】1.0 【被引证次数】4 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】4
