【摘要】 本发明是关于一种在基材上形成穿导孔的方法，包括以下步骤：(a)提供一基材，该基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。藉此，可以在该容置空间内形成较厚的绝缘材料，而且该绝缘材料在该容置空间内并不会有厚度不均匀的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】日月光半导体制造股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810099850.6 【申请日】2008-05-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281883B 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281883B 【授权公告日】2010-06-23 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/768; H01L21/60 【发明人】王盟仁 【主权项内容】一种在硅基材上形成穿导孔的方法，包括：(a)提供一硅基材，该硅基材具有第一表面及第二表面；(b)形成一开槽于该基板的第一表面；(c)填入一导电金属于该开槽内；(d)移除位于该导电金属外围的部分硅基材，且保留该导电金属，使得该导电金属与该硅基材之间形成一容置空间；(e)形成一绝缘材料于该容置空间；及(f)去除部分该硅基材的第二表面，以显露该导电金属及该绝缘材料。 【当前权利人】日月光半导体制造股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾 【引证次数】2.0 【他引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】12
