【摘要】 一种具静电放电免疫能力的锁存电路。具静电放电免疫能力的RS锁存 电路通过阻抗元件阻挡静电放电所产生的电流顺向偏压PMOS元件及 NMOS元件的体二极管。此外，本发明锁存电路另将PMOS元件与NMOS 元件的电路节点进行区隔，以使PMOS元件的电路节点与接地端间的寄生 电容及NMOS元件的电路节点与电源电压的寄生电容可有效地被减少。如 此一来，本发明可有效地提高锁存电路对静电放电的耐受程度。 【专利类型】发明申请 【申请人】绿达光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾新竹科学园区 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810214246.3 【申请日】2008-08-29 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101662273A 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H03K3/013; H03K3/037; H03K19/003; H03K3/00 【发明人】王燕晖 【主权项内容】1.一种具静电放电免疫能力的锁存电路，包含有： 一第一逻辑门单元，包含有： 一第一P型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端； 一第一N型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端；以 及 一第一阻抗元件，耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出 端及该第一N型金属氧化半导体元件的该输出端之间，用来阻挡静电放电 所产生的电流顺向偏压该第一P型金属氧化半导体元件及该第一N型金属 氧化半导体元件的体二极管；以及 一第二逻辑门单元，包含有： 一第二P型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端，该 输入端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出端，该输出端耦接 于该第一P型金属氧化半导体元件的该输入端； 一第二N型金属氧化半导体元件，包含有一输入端及一输出端，该 输入端耦接于该第一P型金属氧化半导体元件的该输出端，该输出端耦接 于该第一P型金属氧化半导体元件的该输入端；以及 一第二阻抗元件，耦接于该第二P型金属氧化半导体元件的该输出 端及该第二N型金属氧化半导体元件的该输出端之间，用来阻挡静电放电 所产生的电流顺向偏压该第二P型金属氧化半导体元件及该第二N型金属 氧化半导体元件的体二极管。 【当前权利人】绿达光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾新竹科学园区 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】1
