【摘要】 一种具有高崩溃电压与高电阻值的半导体结构及其制造方法，其半导体结构至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展；一对第一阱，为第一传导类型，是形成于基板内并由基板的表面向下扩展，且形成在深阱之内；一第二阱，为第二传导类型，是形成于基板的深阱内并由基板表面向下扩展，且第二阱形成在第一阱之间，第二阱的注入量是低于第一阱的注入量；一对第一掺杂区，为第一传导类型，是分别形成在第一阱之内由基板表面向下扩展。 【专利类型】发明授权 【申请人】崇贸科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810003312.2 【申请日】2008-01-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101221988B 【公开公告日】2010-10-27 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101221988B 【授权公告日】2010-10-27 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L29/86; H01L27/04; H01L21/02; H01L21/329; H01L21/822 【发明人】蒋秋志; 黄志丰 【主权项内容】 一种半导体结构，至少包括：一基板，为一第一传导类型；一深阱，为一第二传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展；一对第一阱，为该第一传导类型，是形成于该基板内并由该基板的表面向下扩展，且形成在该深阱之内；一第二阱，为该第二传导类型，是形成于该基板的该深阱内并由该基板表面向下扩展，且该第二阱形成在该对第一阱之间，该第二阱的注入量是低于该第一阱的注入量；以及一对第一掺杂区，为该第一传导类型，是分别形成在该对第一阱之内由该基板表面向下扩展。 【当前权利人】崇贸科技股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾231台北县新店市宝兴路45巷8弄1号3楼 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】3
