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错误校正控制器及其闪存芯片系统与错误校正方法专利

发布时间:2026-06-17

【摘要】 一种错误校正控制器,其用以连接在具有低阶错误校正功能的旧主机控制器与需高阶错误校正功能的新闪存之间,其中当旧主机控制器欲写入数据与其旧错误校正编码至新闪存时错误校正控制器会以高阶错误校正功能产生新错误校正编码。之后,当主机控制器欲从新闪存中读取数据与其旧错误校正编码时,错误校正控制器会依据新错误校正编码来进行错误校正程序,并且依据错误校正结果以及旧主机控制器的错误校正能力传送对应的数据。基此,可在不更动旧主机控制器的架构下使旧主机控制器存取新闪存。 【专利类型】发明申请 【申请人】群联电子股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】中国台湾苗栗县 【申请人地区】中国 【申请人城市】台湾省 【申请号】CN200810182398.X 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752012A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752012B 【授权公告日】2013-05-22 【授权公告年份】2013.0 【IPC分类号】G11C29/44; G11C29/04 【发明人】郑国义; 梁立群; 朱健华 【主权项内容】一种错误校正控制器,包括:第一闪存接口,用以连接主机控制器;第二闪存接口,用以连接闪存,微处理器单元,电性连接至所述第一闪存接口与所述第二闪存接口;造错单元,电性连接至该微处理器单元;以及第一错误校正单元,电性连接至所述微处理器单元,其中所述第一错误校正单元会在所述主机控制器欲写入数据至所述闪存时产生第一错误校正编码并且将所述数据与所述第一错误校正编码储存在所述闪存中,其中当所述主机控制器欲从所述闪存中读取所述数据时,所述微处理器单元会从所述闪存中读取所述数据与所述第一错误校正编码,并且所述第一错误校正单元会依据所述第一错误校正编码来判断所读取的所述数据是否存有至少一错误位且所述至少一错误位是否可被错误校正,其中当所述第一错误校正单元判断所读取的所述数据存有所述至少一错误位且所述至少一错误位可被错误校正时,则所述造错单元会产生可被错误校正的错误数据并且所述微处理器单元会传送所述可被错误校正的错误数据给所述主机控制器,其中所述可被错误校正的错误数据是依据所述第一错误校正编码完成错误校正后的所述数据来产生并且可被所述主机控制器来错误校正。 【当前权利人】群联电子股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾苗栗县 【被引证次数】2 【被自引次数】2.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】2

  • 【摘要】本发明涉及一种方铅矿与黄铜矿浮选分离工艺。该工艺采用腐植酸钠与氯化钙配合对方铅矿进行抑制,所用的捕收剂为黄原酸钠或O-异丙基-N-乙基硫逐氨基甲酸酯,所用起泡剂为丁基醚醇、乙基醚醇或松醇油。采用该组合抑制剂可以使方铅矿的浮选受到抑制
  • 【摘要】本外观设计的产品后视图与主视图对称,左视图及右视图无设计要点,故省 略后视图、左视图、右视图。【专利类型】外观设计【申请人】于书权【申请人类型】个人【申请人地址】100044北京市通州区北关环岛财富东方B2904【申请人地区】中国【
  • 【摘要】本发明涉及“桂哌齐特一水合物、晶型及其制备方法”,属于医药技术领域。本发明制备得到桂哌齐特一水合物的晶型I和晶型II,其化学稳定性非常好,在高温、高湿、光照条件下,其顺式异构体的转化比桂哌齐特的含量要少,而且在高湿和光照条件下,其顺
  • 【摘要】一种触控式电激发光显示面板,其包括基板与盖板。基板包括像素开关元件、信号读取元件、电激发光装置与感应垫。像素开关元件与电激发光装置设置在基板的显示区内,而信号读取元件与感应垫设置在基板的非显示区内。盖板包括第一间隙物、触控间隙物与导
  • 【摘要】本发明涉及一种用于制造发光元件的基板以及利用所述基板制造的发 光元件,所述基板包括:至少一个平台区,具有外延生长的第一晶面方向; 以及多个连续的凸部,围绕所述平台区而彼此连接,以使所述平台区与另 一平台区隔离,所述多个连续的凸部的晶
  • 【摘要】本发明提供一种羧酸酐的制造方法,其以醇与羧酸所衍生的羧酸酯、少量氢气与一氧化碳为原料,在VIIIB族催化剂存在下,在液态反应介质中进行羰化反应形成羧酸酐,该反应介质包括VIIIB族催化剂、有机卤化物、羧酸酯、碱金属盐、羧酸酐以及羧酸