【摘要】 一种熔体硅液面位置的测量方法和装置，所述的方法是：在单晶炉内，由于面光源照射，使位于反射镜上方、安置在上炉盖上的石墨标记物在反射镜上有一倒影，通过CCD扫描到标记物倒影座标，当反射镜位置上升时，即：坩埚上升，其相应倒影坐标改变，以可编程序控制器PLC记录及计算此时标记物在反射镜上的倒影座标和对应的液面高度。本方法能够检测出在晶体生长过程中随熔体向晶体转变过程中坩埚上升速度过快造成的熔体液面上升的距离或坩埚上升速度过慢造成的熔体液面下降的距离，便于获得稳定的熔体液面，本装置结构简单，使用方便。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京有色金属研究总院; 有研半导体材料股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100088 北京市新街口外大街2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】西城区 【申请号】CN200810239917.1 【申请日】2008-12-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101748479A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C30B15/20 【发明人】吴志强; 戴小林; 王学锋; 高宇 【主权项内容】一种熔体硅液面位置的测量方法，其特征在于：在单晶炉内，由于面光源照射，使位于反射镜上方、安置在上炉盖上的石墨标记物在反射镜上有一倒影，通过CCD扫描到标记物倒影座标，当反射镜位置上升时，即：坩埚上升，其相应倒影坐标改变，以可编程序控制器PLC记录及计算此时标记物在反射镜上的倒影座标和对应的液面高度。 【当前权利人】有研半导体材料股份有限公司 【当前专利权人地址】北京市西城区新街口外大街2号 【专利权人类型】股份有限公司 【被引证次数】12 【被他引次数】12.0 【家族被引证次数】12
