【摘要】 本发明公开了一种镁合金表面无电压化学制膜和低电压下电化学制膜的方法，它在镁合金电化学表面处理领域中，利用5V～20V的低电压，在含硅酸盐0.1～2mol/L，硼酸盐0.1～1.5mol/L的碱性处理液中，对镁合金工件进行阳极氧化处理，在镁合金材料表面形成了一层耐腐蚀性能较好的阳极氧化膜层。这种镁合金表面处理方法，在保证镁合金表面处理膜层质量的前提下，降低了表面处理电压，有效地避免了高电压阳极氧化过程中火花放电导致的高温对镁合金基体的机械损伤；提高了氧化过程中电流的利用效率，从而节能降耗。 【专利类型】发明授权 【申请人】北京航空航天大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】100191 北京市海淀区学院路37号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226985.4 【申请日】2008-11-28 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101435081B 【公开公告日】2010-08-11 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101435081B 【授权公告日】2010-08-11 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C22/68; C23F17/00; C25D11/30 【发明人】朱立群; 王喜眉; 李卫平; 刘慧丛 【主权项内容】 。一种镁合金表面无电压化学制膜和低电压下电化学制膜的方法，其特性在于有下列步骤：第一步：基体的前处理将镁合金基体进行除油处理后，待用；所述的除油工艺采用在质量百分比浓度为5～15％的氢氧化钠和质量百分比浓度为5～15％的磷酸钠组成的水溶液中进行，处理温度为室温，处理时间20～60s；第二步：配制复合处理液复合处理液是由含硅酸盐的主成膜剂和含硼酸盐的辅助剂组成的水溶液，所述复合处理溶液中硅酸盐浓度为0.1～2mol/L，硼酸盐的浓度为0.1～1.5mol/L，配好待用；所述硅酸盐是硅酸钠或者硅酸钾；所述硼酸盐是四硼酸钠或者四硼酸钾；第三步：化学制膜/电化学制膜将经第一步处理后的基体置于按第二步配制的复合处理液中，在复合处理液温度为10～80℃条件下静置反应5～10min后，然后加载电压为5～20V条件下，阳极氧化10～60min后，取出，制得包覆复合膜的基体；第四步：复合膜的热处理将包覆复合膜的基体在空气中自然干燥10～24h后，放入恒温炉中，在180～190℃条件下保温45～100min，随恒温炉冷却至室温取出，即得到在镁合金表面包覆有复合膜。 【当前权利人】北京航空航天大学 【当前专利权人地址】北京市海淀区学院路37号 【统一社会信用代码】12100000400011227Y 【家族被引证次数】3
