【摘要】 一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如下步 骤：步骤1：取一硅衬底；步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上， 用高纯硼靶作为立方氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源；步骤3： 将衬底加热；步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼 宽束离子源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的 混合离子束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄 膜；步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温；步骤6：取出制备后 的衬底，进行应力参数测试，完成制备。。-官网 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810119797.1 【申请日】2008-09-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101671846A 【公开公告日】2010-03-17 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】C30B29/38; C30B29/06; C30B31/00; C23C14/06; C30B29/10 【发明人】范亚明; 张兴旺; 谭海仁; 陈诺夫 【主权项内容】1、一种降低立方氮化硼薄膜应力的制备方法，其特征在于，包括如 下步骤： 步骤1：取一硅衬底； 步骤2：将硅衬底置于离子束辅助沉积系统上，用高纯硼靶作为立方 氮化硼薄膜沉积的溅射靶，硅靶作为掺杂源； 步骤3：将衬底加热； 步骤4：离子束辅助沉积系统采用两个能够独立调节考夫曼宽束离子 源，主离子源采用Ar+离子轰击硼靶与硅靶，同时以Ar+及N2+的混合离子 束作为辅助离子源轰击衬底，使衬底上沉积形成立方氮化硼薄膜； 步骤5：在离子束辅助沉积系统中将衬底降温； 步骤6：取出制备后的衬底，进行应力参数测试，完成制备。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】8 【被自引次数】1.0 【被他引次数】7.0 【家族被引证次数】8
