【摘要】 本发明公开了一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。利用本发明，降低了制备成本，简化了制备工艺，提高了工艺的可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院半导体研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100083 北京市海淀区清华东路甲35号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810226288.9 【申请日】2008-11-12 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740384A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101740384B 【授权公告日】2011-08-31 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/335; H01L29/778; H01L21/02; H01L29/66 【发明人】王晓亮; 张明兰; 肖红领; 王翠梅; 唐健; 冯春; 姜丽娟 【主权项内容】一种制备增强型铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的方法，其特征在于，包括以下步骤：在衬底上生长氮化镓成核层；在氮化镓成核层上生长氮化镓缓冲层；在氮化镓缓冲层上生长高迁移率氮化镓层；在高迁移率氮化镓层上生长氮化铝插入层；在氮化铝插入层上生长铝镓氮势垒层；在铝镓氮势垒层上生长氮化铟盖帽层；刻蚀氮化铟盖帽层；制备源、漏欧姆接触；制备栅金属；电极金属加厚。 【当前权利人】中国科学院半导体研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区清华东路甲35号 【统一社会信用代码】12100000400012385U 【被引证次数】12 【被自引次数】2.0 【被他引次数】10.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】12
