【摘要】 本发明涉及一种在绝缘衬底上制作金属硅化物纳米结构的方法，包括以下步骤：SOI衬底经过超声清洗，涂敷光刻胶，在光刻胶层上曝光所设计的纳米结构图案，经过显影和定影后获得相应的光刻胶图形；在具有光刻胶图形的样品上沉积一层能形成金属硅化物的金属薄膜；将样品浸入去胶溶液中进行剥离，使金属纳米结构留在SOI衬底的顶层硅薄膜上；再放入反应离子刻蚀系统中进行刻蚀，将金属纳米结构图形转移到顶层硅上，形成金属/硅双层结构；进行高温退火使金属与硅发生固相反应，形成金属硅化物，根据金属硅化物种类，选择相应的腐蚀剂，将未反应的金属去除，留下金属硅化物纳米结构。本发明的方法工艺简单可靠，精度高，重复性，与半导体工艺完全兼容。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100080 北京市海淀区中关村南三街8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】海淀区 【申请号】CN200810057334.7 【申请日】2008-01-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101499406B 【公开公告日】2010-07-28 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101499406B 【授权公告日】2010-07-28 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/02; H01L21/3205; H01L21/768; H01L21/84; G03F7/20 【发明人】罗强; 顾长志; 李云龙; 李俊杰; 杨海方; 金爱子 【主权项内容】一种在绝缘衬底上制作金属硅化物纳米结构的方法，包括以下步骤：1)清洗衬底：选用SOI衬底，分别经过丙酮，酒精和去离子水超声清洗干净，并烘干备用；2)在SOI衬底上制作光刻胶图形：在经过步骤1)清洗干净的SOI衬底上涂覆正性光刻胶，采用电子束光刻、X射线光刻或极紫外光刻工艺，在光刻胶层上曝光所设计的纳米结构图案，经过显影和定影后获得相应的光刻胶图形；3)沉积金属膜：将步骤2)得到的具有光刻胶图形的样品放入金属沉积设备中，在具有光刻胶图形的样品上沉积一层能形成金属硅化物的金属薄膜；其中金属薄膜的厚度为50-500纳米；4)形成金属纳米结构：将步骤3)得到的沉积了一层金属薄膜的样品浸入丙酮溶液中进行剥离，使金属纳米结构留在SOI衬底的顶层硅薄膜上；5)去除不需要的硅薄膜：将步骤4)得到的样品放入反应离子刻蚀系统中进行刻蚀，去除不需要的硅薄膜，将金属纳米结构图形转移到顶层硅上，形成金属/硅双层结构样品；6)退火形成金属硅化物：将步骤3)得到的样品采用高温退火方法使金属与硅发生固相反应；其中，退火条件如下：通入氩气，流量为100-500sccm，衬底加热温度在400-900℃范围内，反应压力为1-100kPa；7)在绝缘衬底上得到金属硅化物纳米结构：对经步骤6)退火处理后的样品进行选择性化学腐蚀，根据形成的金属硅化物种类，选择相应的腐蚀剂，将未反应的金属去除，在绝缘衬底上留下形成的金属硅化物纳米结构；其中，制作二硅化钛纳米结构的化学腐蚀剂为1∶1的浓硫酸和双氧水；制作硅化钴纳米结构的化学腐蚀剂为1∶1∶5的浓硫酸、双氧水和水；制作硅化镍纳米结构的化学腐蚀剂为4∶1的浓硫酸和双氧水；制作硅化铂纳米结构的化学腐蚀剂为1∶3∶4的浓硝酸、浓盐酸和水。 【当前权利人】中国科学院物理研究所 【当前专利权人地址】北京市海淀区中关村南三街8号 【统一社会信用代码】12100000400012174C 【引证次数】5.0 【他引次数】5.0 【家族引证次数】5.0 【家族被引证次数】12
