【摘要】 本发明是关于一种非挥发存储器的制备方法，其包括以下步骤：在半 导体衬底上形成一层栅氧化层；采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪 粉末的混合物蒸发至该栅氧化层上，再经高温热退火在形成纳米晶浮栅层； 在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电 极的形成工序。本发明提供的三端增强型MOS纳米晶浮栅型非挥发存储器 的制备方法工艺过程简单，制备成本低，有利于大规模集成。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029北京市朝阳区北土城西路3号中科院微电子所 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810223341.X 【申请日】2008-09-26 【申请年份】2008 【公开公告号】CN100583400C 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN100583400C 【授权公告日】2010-01-20 【授权公告年份】2010.0 【发明人】朱晨昕; 贾锐; 陈晨; 李维龙; 李昊峰; 王琴; 刘明 【主权项内容】1、一种非挥发存储器的制备方法，其特征在于，该方法包括： A、在半导体衬底上形成一层栅氧化层； B、采用电子束蒸发方式将硅粉末和二氧化铪粉末的混合物蒸发至该栅 氧化层上，再经高温热退火形成纳米晶浮栅层； C、在纳米晶浮栅层上形成栅电极；以及 D、进行源、漏区掺杂，并进行源、漏电极的形成工序； 步骤B中所述硅粉末和二氧化铪粉末的重量比为1∶1.5-2.5；步骤B 中所述硅粉末和二氧化铪粉末的颗粒度为250-350目；步骤B中所述高温 热退火条件是温度800-1200℃。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中国科学院微电子研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市朝阳区北土城西路3号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】1 【家族被引证次数】3
