【摘要】 一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，步骤为：(1)在常规清洗后，在氢氟酸/异丙醇/水溶液中浸泡，以抑制颗粒和自然氧化物的生长；(2)紧接着用RTA生长超薄界面氧化层SiOx或氮氧化层SiON；(3)采用PVD方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积HfLaON高介电常数(K)栅介质；(4)淀积HfLaON后，快速热退火；(5)采用PVD方法，磁控反应溅射TaN金属薄膜；(6)TaN金属电极和背面欧姆接触形成后，进行合金退火处理。 【专利类型】发明申请 【申请人】中国科学院微电子研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】100029 北京市朝阳区北土城西路3号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810224908.5 【申请日】2008-10-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101728257A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101728257B 【授权公告日】2011-02-16 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/28; H01L21/8238 【发明人】徐秋霞; 许高博; 柴淑敏 【主权项内容】一种HfLaON栅介质/TaN金属栅集成结构的制备方法，其主要步骤如下：步骤1)清洗：在器件隔离形成后，进行界面氧化层形成前的清洗，并用氢氟酸/异丙醇/水混合溶液在室温下浸泡，去离子水冲洗，甩干后立即进炉；步骤2)界面层SiOx或SiON的形成：采用快速热退火；步骤3)栅介质薄膜的形成：采用物理汽相沉积方法，利用磁控反应溅射工艺交替溅射Hf-La靶和Hf靶淀积形成HfLaON；步骤4)淀积栅介质后快速热退火；步骤5)金属栅电极形成：采用物理汽相沉积方法，利用磁控溅射工艺溅射淀积TaN金属栅，刻蚀后形成TaN金属电极；步骤6)背面欧姆接触形成：采用物理汽相沉积方法，利用直流溅射工艺在背面沉积Al-Si膜；步骤7)380-450℃下，在合金炉内N2中退火30-60分钟。。 【当前权利人】北京燕东微电子有限公司 【当前专利权人地址】北京市朝阳区东直门外西八间房万红西街2号 【统一社会信用代码】12100000400834434U 【被引证次数】13 【被他引次数】13.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】13
