【摘要】 本发明公开了一种硅太阳能电池的制造方法，在N型硅衬底的背面进行N型或P型掺杂，形成N型或P型掺杂层，并在掺杂层的外层生长SiO2层；在背面的SiO2层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，通过腐蚀剂腐蚀出需要的图形，暴露出N型硅衬底；在暴露的N型硅衬底处进行P型或N型掺杂，形成P型或N型掺杂区。然后，在背面的SiO2层上腐蚀出通孔，引出电极；将正面腐蚀成绒面结构，并在绒面结构上淀积减反射层。采用印刷工艺印刷腐蚀剂或者抗蚀剂的方式，代替现有技术中的光刻工艺，生产成本降低、生产效率大大提高，适合规模化生产。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100016 北京市朝阳区酒仙桥东路1号M5座2楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】朝阳区 【申请号】CN200810225065.0 【申请日】2008-10-27 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101764175A 【公开公告日】2010-06-30 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101764175B 【授权公告日】2012-09-05 【授权公告年份】2012.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】肖青平 【主权项内容】一种硅太阳能电池的制造方法，其特征在于，包括步骤：首先，以N型硅衬底为基片，在所述基片的背面进行N型或P型掺杂，形成N型或P型掺杂层，并在所述掺杂层的外层生长SiO2层；然后，在所述基片的背面的SiO2层上采用印刷工艺印刷腐蚀剂或抗腐蚀剂，通过腐蚀剂腐蚀出需要的图形，暴露出所述N型硅衬底；之后，在所述暴露的N型硅衬底处进行P型或N型掺杂，形成P型或N型掺杂区。 【当前权利人】北京北方华创微电子装备有限公司 【当前专利权人地址】北京市大兴区经济技术开发区文昌大道8号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】91110302801786752A 【被引证次数】6 【被他引次数】6.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】6
