【摘要】 本发明涉及一种TFT-LCD阵列基板及其制造方法，其中方法包括：步骤1、在基板上沉积栅金属层薄膜，形成包括栅电极和栅线的图形；步骤2、在完成步骤1的基板上沉积栅绝缘层薄膜、半导体层薄膜和阻挡层薄膜，形成包括栅绝缘层、半导体层和阻挡层的图形在内的图形，阻挡层用于阻止TFT沟道部分的半导体层被刻蚀；步骤3、在完成步骤2的基板上，沉积欧姆接触层薄膜、透明导电层薄膜、源漏金属层薄膜和钝化层薄膜，形成包括欧姆接触层、像素电极、数据线、源电极、漏电极和钝化层的图形在内的图形。本发明通过在半导体层和欧姆接触层之间夹设阻挡层，能够在不增加构图工艺的情况下减小半导体层的厚度，提高TFT的性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】北京京东方光电科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市经济技术开发区西环中路8号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810247594.0 【申请日】2008-12-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101770124A 【公开公告日】2010-07-07 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101770124B 【授权公告日】2014-09-10 【授权公告年份】2014.0 【IPC分类号】G02F1/1362; H01L27/12; H01L21/84 【发明人】刘翔; 林承武; 陈旭; 谢振宇 【主权项内容】一种TFT-LCD阵列基板，包括栅线和数据线，栅线和数据线限定的像素区域内形成有像素电极和薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管中的半导体层与欧姆接触层之间设置有用于阻止所述半导体层被刻蚀的阻挡层，阻挡层图形的面积小于半导体层图形的面积，使所述欧姆接触层和半导体层接触。 【当前权利人】高创(苏州)电子有限公司; 京东方科技集团股份有限公司 【当前专利权人地址】江苏省苏州市吴江经济技术开发区大兢路1088号; 北京市朝阳区酒仙桥路10号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳与境内合资) 【统一社会信用代码】911103027493533932 【被引证次数】9 【被自引次数】9.0 【家族引证次数】15.0 【家族被引证次数】25
