【摘要】 本发明公开了一种形成浅沟槽隔离结构的制造方法及一种半导体 器件的制造方法，该形成浅沟槽隔离结构的方法包括：提供一硅片；在 硅片上形成半导体衬底；对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的中央区域和 边缘区域的半导体衬底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟 槽；在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片 边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片中央区域沟 槽内形成的所述垫氧化物层的厚度；在沟槽内垫氧化物层上填充氧化 物，使沟槽内氧化物的表面与半导体衬底表面在同一个平面。本发明改 善了硅片的变形现象，使硅片的形变减小，从而提高了该硅片边缘区域 的利用率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】100176北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】北京市 【申请人区县】大兴区 【申请号】CN200810117502.7 【申请日】2008-07-31 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101640182A 【公开公告日】2010-02-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101640182B 【授权公告日】2011-05-04 【授权公告年份】2011.0 【发明人】赵星; 冀建民; 侯红娟; 李慧强; 郭得亮 【主权项内容】1、一种形成浅沟槽隔离结构的方法，其特征在于，包括： 提供一硅片，该硅片中具有半导体衬底； 对半导体衬底进行刻蚀，在硅片的中央区域和边缘区域的半导体衬 底中形成围绕硅片中心对称分布的至少100个沟槽； 在所述沟槽内形成覆盖沟槽的侧壁和底面垫氧化物层，其中在硅片 边缘区域沟槽内形成的所述垫氧化物层的厚度大于在硅片中央区域沟 槽内形成的所述垫氧化物层的厚度； 在沟槽内垫氧化物层上填充氧化物，使沟槽内氧化物的表面与半导 体衬底表面在同一个平面。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】北京市北京经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】911103027404017237 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
