【摘要】 本发明涉及一种锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，所得载体材料适于无标记电学检测技术的基因芯片。通过使用锑掺杂氧化锡溅射靶材，利用磁控溅射法在普通玻片上制备出锑掺杂氧化锡薄膜，然后对薄膜进行羟基化、氨基硅烷化、醛基化修饰，制得醛基修饰的基因芯片用锑掺杂氧化锡薄膜载体材料。采用本发明制备的载体材料具有表面平坦致密、厚度均匀、活性基团密度高、亲水性能好、化学稳定性高、电阻率低等特性，可以实现对生物信号的高灵敏度、高可靠性和强特异性无标记电学检测、识别与分析，非常适用于作为无标记电学检测技术的基因芯片载体材料。本发明还具有制备工艺简单易行，成本低廉，易于实现工业化生产的特点。 （，） 【专利类型】发明授权 【申请人】昆明理工大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】650093 云南省昆明市五华区学府路253号 【申请人地区】中国 【申请人城市】昆明市 【申请人区县】五华区 【申请号】CN200810058156.X 【申请日】2008-03-06 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101235480B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101235480B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C14/14; C23C14/35; C23C14/58; C23C14/54; B22F3/12 【发明人】张玉勤; 蒋业华; 周荣 【主权项内容】一种锑掺杂氧化锡薄膜载体材料的制备方法，其特征在于经过下列工艺步骤：(1)将预先制备的锑掺杂氧化锡溅射靶材经打磨后，用分析纯丙酮和去离子水清洗，然后在120～160℃保温2～3小时，以去除表面油污杂质；(2)采用普通载玻片作为薄膜基底材料，在溅射前先用分析纯丙酮和去离子水清洗，之后在80～90℃保温1～2小时，以去除表面油污杂质；(3)将经步骤(1)和步骤(2)预处理过的靶材及载玻片放入磁控溅射仪中，溅射前先对靶材预溅射5min，去除表面杂质后，再对靶材进行溅射，即得锑掺杂氧化锡薄膜，其溅射工艺条件是：溅射室本底真空度为1×10-4Pa，溅射功率100～400W，溅射过程中，控制溅射室内氩气压为0.4～1Pa，氧气分压为0.5～1.5Pa，衬底温度20～100℃，溅射时间15～50min；(4)将步骤(3)所得薄膜放入热处理炉中，在温度为300～450℃，保温0.5～3小时，气氛为空气或真空的条件下进行热处理，之后将薄膜冷却至室温；(5)将步骤(4)所得薄膜放入浓度为2～4M的NaOH溶液中浸泡2～3小时，然后用无水乙醇清洗，并在40～60℃烘干，保温2～3小时；(6)将步骤(5)所得薄膜放入浓度为0.5～1M的3-氨丙基-三乙氧基硅烷APTES中浸泡12～24小时，用无水乙醇和去离子水清洗，在100～150℃保温3～4小时后冷却至室温；(7)将步骤(6)所得薄膜在质量浓度为8～12％的戊二醛溶液中浸泡1～2小时，然后用去离子水清洗，40～60℃烘干，保温时间2～3小时，冷却至室温，即得醛基修饰的基因芯片用锑掺杂氧化锡薄膜载体材料。 【当前权利人】昆明理工大学 【当前专利权人地址】云南省昆明市五华区学府路253号 【统一社会信用代码】125300004312044864 【家族被引证次数】9
