【摘要】 本发明公开了一种在选择性发射极太阳电池制造过程中用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，包括以下步骤：(1)纯水喷淋；(2)超声波清洗；(3)纯水再次喷淋；(4)循环纯水浸渍。与现在普遍采用的用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺相比，本发明可彻底清除掉硅片表面的各种杂质，杜绝了其对后续工艺及最终电池片性能的影响。 ： 【专利类型】发明授权 【申请人】上海晶澳太阳能光伏科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】200436 上海市闸北区江场三路36号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】静安区 【申请号】CN200810207489.4 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101447530B 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101447530B 【授权公告日】2010-06-09 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/18; H01L21/00; H01L21/02 【发明人】李静; 朴松源; 郭育林; 王鹏 【主权项内容】一种用于刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的清洗工艺，其特征在于包括以下步骤：(1)纯水喷淋：用纯水对印有刻蚀二氧化硅掩膜的浆料的硅片表面进行喷淋，冲掉大部分的浆料及反应物；(2)超声波清洗：将纯水喷淋后的硅片放入超声清洗机中，用超声把残留在硅片表面的浆料清洗掉，所述的超声波清洗的时间为0.3-5分钟，超声波的功率为100-500W；(3)纯水再次喷淋：将超声清洗后的硅片再次用纯水喷淋，冲掉硅片表面经超声波清洗后仍然附着其上的杂质；(4)循环纯水浸渍：将纯水再次喷淋后的硅片浸入循环的纯水中，去掉附着在硅片表面的杂质。 【当前权利人】上海晶澳太阳能光伏科技有限公司; 晶澳太阳能有限公司; 上海晶澳太阳能科技有限公司 【当前专利权人地址】上海市闸北区江场三路36号; 河北省邢台市宁晋县晶龙大街; 上海市奉贤区环城西路3111弄118号 【专利权人类型】有限责任公司 【统一社会信用代码】9131000066240053XC 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
