【摘要】 本发明涉及用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料及方法，其特征在于所述的薄膜材料以单晶硅为衬底组成的材料，通式为Re1-xCexMnO3，式中0＜x＜1，Re为稀土离子中的任一种；材料的高低电阻态之间的电阻值相差5～6数量级。本发明提供了相应的薄膜材料制作方法，并对薄膜材料的EPIR效应进行了测定。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200050 上海市长宁区定西路1295号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】长宁区 【申请号】CN200810036885.5 【申请日】2008-04-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101281951B 【公开公告日】2010-09-08 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101281951B 【授权公告日】2010-09-08 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L45/00; H01L27/24; G11C11/56; G11C16/02 【发明人】陈立东; 吴子华; 王群 【主权项内容】制备用于制造非挥发性电阻式随机存储器的薄膜材料的薄膜的方法，其特征在于：a)准备衬底：在单晶Si片上，预先沉积550～650nm的SiO2和Ti过渡层及Pt，将沉积好的单晶Si切割成正方形小片，先后使用蒸馏水，无水乙醇和丙酮进行超声清洗，最后在丙酮溶液中提拉清洗并烘干备用；b)过饱和溶液的配置：按Re1-xCexMnO3，0＜x＜1，Re为稀土离子中的任一种，取相应的化学纯的醋酸盐粉体，置于适量的醋酸溶液中，加热至100-140℃，搅拌使粉体溶解形成溶液，再将溶液升温至150～160℃，并持续搅拌3～5小时后将溶液缓慢冷却，即得到过饱和溶液；c)成膜工艺：利用甩胶法在步骤a事先清洗好的衬底上制备薄膜，首先将步骤b制备的过饱和溶液滴加至衬底表面，以800～1200转/分的低速旋转，使溶液在衬底表面缓慢铺开，然后以6000转/分高速旋转，使溶液涂覆均匀，同时甩出多余的溶液，将经过甩胶的湿膜在板式电炉中热解，热解温度为450-500℃，重复甩胶和热解过程，直到薄膜达到预定的厚度；最后将薄膜放在管式炉中，以3℃/min的速率升温至1000-1200℃后，样品随炉体自然降温至室温。。 【当前权利人】中国科学院上海硅酸盐研究所 【当前专利权人地址】上海市长宁区定西路1295号 【统一社会信用代码】12100000425006547H 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
