【摘要】 本发明公开了一种红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔技术，该技术采用金属的在交变电磁场中的感应电流实现铟柱的熔融，在熔融铟柱的同时不加热碲镉汞材料，这既提高了互连强度又避免了碲镉汞芯片因高温而性能退化，很好的解决了焦平面工艺中的铟柱回熔问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】中国科学院上海技术物理研究所 【申请人类型】科研单位 【申请人地址】200083 上海市玉田路500号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】虹口区 【申请号】CN200810201532.6 【申请日】2008-10-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101373802B 【公开公告日】2010-06-02 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101373802B 【授权公告日】2010-06-02 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L31/18 【发明人】张海燕; 胡晓宁; 李言谨; 何力; 龚海梅; 张勤耀 【主权项内容】一种红外焦平面探测器互连铟柱感应回熔方法，其特征在于：它包括以下工艺步骤：A.碲镉汞焦平面芯片与硅电路以冷压焊技术形成焦平面组件；B.把冷压焊后的焦平面组件置于高频炉的感应线圈所产生的电磁场中，进行感应加热，互连铟柱感应受热回熔；C.把加热后的焦平面组件移出，继续后续的封装工作。 【当前权利人】中国科学院上海技术物理研究所 【当前专利权人地址】上海市玉田路500号 【统一社会信用代码】12100000425005579K 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】5
