【摘要】 本发明公开了一种多晶硅薄膜的形成方法，包括步骤：提供衬底； 将所述衬底放入沉积室内；根据预定的多晶硅薄膜的电阻调节值确定反 应气体通入时的流量上升时间；按照所述流量上升时间向所述沉积室内 通入反应气体，在所述衬底上沉积多晶硅薄膜；取出所述衬底。本发明 的多晶硅薄膜的形成方法可以方便、灵活地实现对多晶硅薄膜电阻值的 微调。本发明还对应公开了一种栅极的形成方法，其可以实现对多晶硅 栅极电阻值的微调，有效地提高了器件的成品率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201210上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810041809.3 【申请日】2008-08-15 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101651094A 【公开公告日】2010-02-17 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101651094B 【授权公告日】2011-07-06 【授权公告年份】2011.0 【发明人】涂火金; 范建国; 刘培芳; 蔡丹华; 王海峰 【主权项内容】1、一种多晶硅薄膜的形成方法，其特征在于，包括步骤： 提供衬底； 将所述衬底放入沉积室内； 根据预定的多晶硅薄膜的电阻调节值确定反应气体通入时的流量 上升时间； 按照所述流量上升时间向所述沉积室内通入反应气体，在所述衬底 上沉积多晶硅薄膜； 取出所述衬底。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
