【摘要】 本发明提供了一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，在刻蚀制程结束时，静电吸盘的释放电荷流程中将氟基气体混合氧气，一同通入刻蚀反应腔室。通过氟基气体对生成溴化氢副反应的抑制作用，消除溴化氢干法刻蚀制程里残留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其对于现有干法刻蚀制程改进方便，效果显著。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810203860.X 【申请日】2008-12-02 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752207A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101752207B 【授权公告日】2011-11-09 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】H01L21/00; H01L21/306; H01L21/02 【发明人】毛永吉; 张京晶; 王军; 石锗元; 李金刚 【主权项内容】一种消除干法刻蚀中溴化氢浓缩残留方法，用于消除干法刻蚀制程中残留浓缩的溴化氢对晶圆及设备的污染，其特征在于在刻蚀制程中将氟基气体通入刻蚀反应腔室。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】7 【被他引次数】7.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】7
