【摘要】 一种光学邻近校正方法，包括：测量掩模版上的测试图形，获得所述测试图形的图形参数；根据所述掩模版进行曝光，获得所述曝光形成的图形参数；对所述曝光形成的图形参数进行过滤处理；根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的校正因子；根据所述校正因子，对原有光学邻近校正模型进行更新，获得与所述曝光采用的扫描形式对应的光学邻近校正模型。本发明根据曝光时采用不同的扫描形式所造成的参数差异，计算校正因子，并对原有的光学邻近校正模型进行更新，获得更新的光学邻近校正模型，从而提高了光学邻近校正的准确性。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810207517.2 【申请日】2008-12-22 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101750878A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101750878B 【授权公告日】2011-12-07 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G03F1/14; G03F1/36 【发明人】张飞 【主权项内容】一种光学邻近校正方法，其特征在于，包括：根据掩模版上的测试图形，获得测试图形的图形参数；对所述掩模版进行曝光，获得曝光形成的图形参数；对所述曝光形成的图形参数进行过滤处理；根据所述曝光形成的图形参数和所述测试图形的图形参数，获得与扫描形式对应的校正因子；根据所述校正因子，对原有光学邻近校正模型进行更新，获得与扫描形式对应的光学邻近校正模型。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】17 【被自引次数】9.0 【被他引次数】8.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】17
