【摘要】 本发明公开了一种沟槽的形成方法，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行刻蚀，形成沟槽；利用含溴化氢和氦气的过刻蚀气体对所述沟槽进行过刻蚀处理。采用本发明方法形成的沟槽底部较为平整，不会再出现两侧凹陷的问题，提高了沟槽的填充质量。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810204152.8 【申请日】2008-12-03 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752285A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/76; H01L21/306; H01L21/311; H01L21/70; H01L21/02 【发明人】张海洋; 沈满华; 陈海华; 韩宝东 【主权项内容】一种沟槽的形成方法，其特征在于，包括步骤：提供衬底；在所述衬底上形成沟槽图形；以所述沟槽图形为掩膜进行刻蚀，形成沟槽；利用含溴化氢和氦气的过刻蚀气体对所述沟槽进行过刻蚀处理。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】1.0 【被引证次数】2 【他引次数】1.0 【被他引次数】2.0 【家族引证次数】1.0 【家族被引证次数】2
