【摘要】 。本发明公开了多栅极晶体管制作方法及系统，以提高多栅极晶体管的性 能。所述晶体管的各个栅极对应有各自的栅电介质层，该方法包括：当在制作 当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间，有多个能够用于清除相同待清 除物质的清除流程时，采用所述多个清除流程中的部分清除流程，清除所述待 清除物质；所述多个清除流程中，除所述部分清除流程外的其他清除流程，对 各自后续流程的执行效果的影响能够忽略。 【专利类型】发明申请 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203上海市张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810041880.1 【申请日】2008-08-19 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656203A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656203B 【授权公告日】2012-05-09 【授权公告年份】2012.0 【发明人】何永根 【主权项内容】1、一种多栅极晶体管的制作方法，所述晶体管的各个栅极对应有各自的 栅电介质层；在制作当前栅电介质层和制作下一个栅电介质层之间，有多个能 够用于清除相同待清除物质的清除流程；其特征在于，该制作方法包括： 采用所述多个清除流程中的部分清除流程，清除所述待清除物质， 所述多个清除流程中，除所述部分清除流程外的其他清除流程，对各自后 续流程的执行效果的影响能够忽略。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【当前专利权人地址】上海市张江路18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
