【摘要】 本发明涉及一种非极性氮化镓(GaN)薄膜的生长方法，其利用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)系统在铝酸锂(LiAlO2)衬底上合成生长GaN薄膜，其中，在生长GaN薄膜之前，首先在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)，一方面起应力平衡的作用，另一方面可以阻止衬底的分解，如Li的挥发等。 【专利类型】发明授权 【申请人】上海蓝光科技有限公司; 彩虹集团公司; 中国科学院上海光学精密机械研究所 【申请人类型】企业,科研单位 【申请人地址】201203 上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810200459.0 【申请日】2008-09-25 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101358337B 【公开公告日】2010-08-04 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101358337B 【授权公告日】2010-08-04 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】C23C16/34; C23C16/52 【发明人】周健华; 郝茂盛; 颜建锋; 潘尧波; 周圣明 【主权项内容】一种非极性GaN薄膜的生长方法，其利用MOCVD系统在铝酸锂衬底上合成生长，其特征在于，该方法包括以下步骤：步骤一：在铝酸锂衬底背面背镀二氧化硅(SiO2)或氮化硅(Si3N4)；步骤二：利用MOCVD系统在铝酸锂衬底上合成生长非极性GaN薄膜；该步骤二进一步包括以下步骤：步骤A：在MOCVD系统中，在N2保护下，升温到800-900℃，生长低温保护层，生长低温保护层时反应室压力150-500torr，TMGa流量1-50sccm，对应于摩尔流量：4E-6mole/min-2E-4mole/min；步骤B：降低压力至100-300torr，升温到1000-1100℃继续生长U-GaN层，TMGa流量10-200sccm，对应于摩尔流量：4E-5mol/min-8E-4mole/min；步骤C：再升温到1150-1200℃，生长100nm，步骤D：再降温到1000-1100℃生长U-GaN。 【当前权利人】上海蓝光科技有限公司; 彩虹集团公司; 中国科学院上海光学精密机械研究所 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江高科技园区芳春路400号; ; 【专利权人类型】有限责任公司(国有控股); 国有企业; 【统一社会信用代码】9131011563166660XE; 91110000100018208F; 121000004250121703 【被引证次数】1 【被他引次数】1.0 【家族被引证次数】15
