【摘要】 本发明公开了一种刻蚀10μm以上介质层的方法，第1步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；第2步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层；第3步，以各向同性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口进一步刻蚀掉1/3～3/5厚度的介质层；第4步，去除光刻胶和聚合物；第5步，重复第1步；第6步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口再进一步刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层，直至露出介质层的下一层；第7步，去除光刻胶和聚合物。本发明可以刻蚀10μm以上的介质层。 【专利类型】发明申请 【申请人】上海华虹NEC电子有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201206 上海市浦东新区川桥路1188号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810043915.5 【申请日】2008-11-11 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101740374A 【公开公告日】2010-06-16 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L21/311 【发明人】吕煜坤; 曾林华 【主权项内容】一种刻蚀10μm以上介质层的方法，其特征是：所述方法包括如下步骤：第1步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；第2步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层；第3步，以各向同性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口进一步刻蚀掉1/3～3/5厚度的介质层；第4步，去除光刻胶和聚合物；第5步，在介质层上涂光刻胶，曝光显影后去除介质层的刻蚀窗口上方的光刻胶，保留其余部分的光刻胶；第6步，以各向异性刻蚀工艺刻蚀介质层，在刻蚀窗口再进一步刻蚀掉1/5～1/3厚度的介质层，直至露出介质层的下一层；第7步，去除光刻胶和聚合物。 【当前权利人】上海华虹NEC电子有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区川桥路1188号 【专利权人类型】有限责任公司(台港澳法人独资) 【统一社会信用代码】91310000607374607X 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
