【摘要】 本发明提供了一种可降低漏电流的氮化硅制作方法，用于在一制作有金属层的半导体器件上制作氮化硅，其在一具有反应腔的PECVD设备中进行，该PECVD设备通过MFC控制反应气体进入反应腔。现有技术中MFC和反应腔间具有反应气体残留，另外反应腔需要较长时间才能稳定在预设沉积压力以及氮气处理时反应腔两电极间的间距过近，因此造成金属层的绝缘性能过差且漏电流过大。本发明通过预抽工艺去除MFC与反应腔间残留的反应气体；并通过快速升压工艺以使反应腔压力在第一预设时段内稳定至预设沉积压力；且在进行氨气处理工艺时，将反应腔中的两电极间的间距调宽且调整为14至15厘米。本发明可降低氮化硅制程对金属层的绝缘性能的损伤，大大降低半导体器件的漏电。 【专利类型】发明授权 【申请人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】201203 上海市张江路18号 【申请人地区】中国 【申请人城市】上海市 【申请人区县】浦东新区 【申请号】CN200810033052.3 【申请日】2008-01-24 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101494171B 【公开公告日】2010-08-25 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101494171B 【授权公告日】2010-08-25 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L21/318; C23C16/34; C23C16/513 【发明人】周华; 邢程; 马峰; 张文锋; 曹涯路; 徐亮; 范加森 【主权项内容】一种可降低漏电流的氮化硅制作方法，用于在一制作有金属层的半导体器件上制作氮化硅，其在一具有反应腔的等离子增强化学气相沉积设备中进行，该等离子增强化学气相沉积设备通过气体质量流量控制器控制反应气体进入反应腔，该反应腔中设置有与射频电源相连接的两电极，其特征在于，该方法包括以下步骤：a、通过预抽工艺去除气体质量流量控制器与反应腔间残留的反应气体；b、通过快速升压工艺使反应腔压力在第一预设时段内稳定至预设沉积压力；c、通过气体质量流量控制器向反应腔中通入氨气且开启射频电源进行氨气处理工艺，其中，反应腔中两电极间的间距为14至15厘米；d、进行预沉积和沉积工艺以在半导体器件的金属层上生成氮化硅。。 【当前权利人】中芯国际集成电路制造(上海)有限公司; 中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 【当前专利权人地址】上海市浦东新区张江路18号; 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91310115710939629R 【引证次数】3.0 【他引次数】3.0 【家族引证次数】3.0 【家族被引证次数】4
