【摘要】 本发明公开了一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄 膜的方法，包括在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构 和在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜步骤，其中所述的沟槽的深度 大于6微米，并且沟槽两侧台面上生长的铟镓铝氮薄膜水平方 向上互不相连。用本发明的方法可以通过简单的衬底处理而生 长出高质量、无裂纹和面积较大的铟镓铝氮薄膜。本发明同时 还公开了一种使用硅衬底制备铟镓铝氮发光器件的方法。 【专利类型】发明申请 【申请人】南昌大学 【申请人类型】学校 【申请人地址】330047江西省南昌市南京东路235号 【申请人地区】中国 【申请人城市】南昌市 【申请人区县】新建区 【申请号】CN200610072230.4 【申请日】2006-04-14 【申请年份】2006 【公开公告号】CN1953220A 【公开公告日】2007-04-25 【公开公告年份】2007 【授权公告号】CN100463240C 【授权公告日】2009-02-18 【授权公告年份】2009.0 【发明人】江风益; 方文卿; 王立; 莫春兰; 刘和初; 周毛兴 【主权项内容】1、一种在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜的方法，其特征在于包括以下步 骤： A、在硅衬底表面形成具有沟槽和台面的图形结构； B、在衬底表面沉积铟镓铝氮薄膜； 其中所述的沟槽的深度大于等于6微米，并且沟槽两侧台面上生长 的铟镓铝氮薄膜在水平方向上互不相连。。微信 【当前权利人】晶能光电股份有限公司 【当前专利权人地址】中国台湾台中市北屯区北屯路298巷13号1楼 【专利权人类型】公立 【统一社会信用代码】12360000491015556U 【被引证次数】8 【被自引次数】2.0 【家族被引证次数】51
