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发光二极管及其制造方法专利

发布时间:2026-07-06

【摘要】 本发明涉及一种发光二极管及其制造方法。所述发光二极管包括:一个基板;一个发光 二极管晶片,其覆晶接合在该基板上;一个接合层,其设置在该基板与该发光二极管晶片之 间用以接合该基板与该发光二极管晶片并使二者电性导通。该基板的与该发光二极管晶片相 接合的表面具有至少一个凹槽,该接合层设置在该至少一个凹槽上。所述发光二极管中的接 合层设置在该基板的凹槽中,使得发光二极管晶片与基板通过的接合层接合的较为稳固,并 且该接合层不易产生移位,保证了发光二极管晶片与基板具有较好的电连接性能。 【专利类型】发明申请 【申请人】展晶科技(深圳)有限公司; 先进开发光电股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518033广东省深圳市福田区福虹路华强花园A座16F 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】福田区 【申请号】CN200810302460.4 【申请日】2008-06-30 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101621101A 【公开公告日】2010-01-06 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00; H01L23/488; H01L21/60; H01L33/44; H01L33/62 【发明人】陈东安; 徐智鹏; 张忠民; 李泽安 【主权项内容】1.一种发光二极管,其包括: 一个基板; 一个发光二极管晶片,其覆晶接合在该基板上; 一个接合层,其设置在该基板与该发光二极管晶片之间用以接合该基板与该发光二极 管晶片并使二者电性导通; 其特征在于,该基板的与该发光二极管晶片相接合的表面具有至少一个凹槽,该接合 层设置在该至少一个凹槽上。。: 【当前权利人】展晶科技(深圳)有限公司; 先进开发光电股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市福田区福虹路华强花园A座16F; 中国台湾新竹 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】91440300760465409R 【被引证次数】33 【被自引次数】8.0 【被他引次数】25.0 【家族引证次数】10.0 【家族被引证次数】355

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  • 【摘要】一种修改BIOS参数及重新生成校验和的方法,该BIOS参数储存于一存储芯片中,该方法 包括以下步骤:在一待设置计算机的操作系统中,修改该待设置计算机的BIOS参数得到一 BIOS初始修改值,储存该BIOS初始修改值;将一特定值写入该
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