【摘要】 一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极管晶粒外围的一封装体 ，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底面向上减少，该封装体自底面向上分 为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少。与现有技术相比，本发明的封装体 的折射率渐变，折射率差较少，降低封装体的全反射，使得从封装体射出的光线均匀分布。 【专利类型】发明申请 【申请人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810302796.0 【申请日】2008-07-18 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101630710A 【公开公告日】2010-01-20 【公开公告年份】2010 【发明人】张家寿 【主权项内容】1.一种发光二极管，包括一发光二极管晶粒以及包覆于该发光二极 管晶粒外围的一封装体，其特征在于，该封装体包括一底面，该封装体的横截面面积自该底 面向上减少，该封装体自底面向上分为若干封装层，该若干封装层的折射率自底面向上减少 。 【当前权利人】富准精密工业(深圳)有限公司; 鸿准精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾台北县土城市中山路3之2号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】9144030070842022XG 【被引证次数】7 【家族被引证次数】15
