【摘要】 本实用新型提供一种改善电流扩展效率的发光二极管，该发光二极管包括 衬底、N型电流扩展层、多量子阱有源发光区、P型电流扩展层、透明导电层、 P电极及N电极，其中，所述的P型电流扩展层内形成有一电流阻挡区，该电 流阻挡区内设置有电流阻挡层；本实用新型采用离子植入的方式在P型电流扩 展层内形成电流阻挡层，它能使P型电极注入的电流横向扩展到电极下方以外 的有源发光区，使P电极下方无电流，不发光，增加了发光效率，减少了焦耳 热的产生，提高了器件的热性能、寿命及可靠性。 【专利类型】实用新型 【申请人】世纪晶源科技有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200820213577.0 【申请日】2008-11-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN201417785Y 【公开公告日】2010-03-03 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN201417785Y 【授权公告日】2010-03-03 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】胡加辉; 廖家明; 杨仁君; 沈志强; 朱国雄; 江明璋 【主权项内容】该数据由<>整理 1、一种改善电流扩展效率的发光二极管，包括层状结构发光二极管外延片， 该外延片包括衬底、N型电流扩展层、有源发光区、P型电流扩展层、透明导 电层、P电极及N电极，其特征在于：所述的P型电流扩展层内形成有一电流 阻挡区，该电流阻挡区内设置有电流阻挡层。 【当前权利人】世纪晶源科技有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【专利权人类型】有限责任公司(外商投资、非独资) 【统一社会信用代码】91440300767567651X 【被引证次数】2 【被他引次数】2.0 【家族被引证次数】2
