【摘要】 一种主板供电电路，包括一第一、一第二NMOS场效应管、一第一电容、一第一电感及一延时电路，所述第一NMOS场效应管的栅极与一电压调节模块的一高端门极驱动输出引脚相连，其源极与所述电压调节模块的一相位引脚相连，并通过所述第一电容与电压调节模块的一驱动引脚相连，同时还通过所述第一电感与一内存控制中心相连，其漏极与一系统电源相连；所述第二NMOS场效应管的栅极与所述电压调节模块的一低端门极驱动输出引脚相连，其源极接地，其漏极与所述第一NMOS场效应管的源极及延时电路相连。所述主板供电电路控制所述第一、第二NMOS场效应管交替导通并经过所述延时电路提供一稳定的电压脉冲信号为所述内存控制中心供电。 微信 【专利类型】发明申请 【申请人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518109 广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810304945.7 【申请日】2008-10-16 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101727158A 【公开公告日】2010-06-09 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101727158B 【授权公告日】2011-06-22 【授权公告年份】2011.0 【IPC分类号】G06F1/26 【发明人】胡可友 【主权项内容】一种主板供电电路，包括一第一NMOS场效应管、一第二NMOS场效应管、一第一电容、一第一电感以及一延时电路，所述第一NMOS场效应管的栅极与一电压调节模块的一高端门极驱动输出引脚相连，所述第一NMOS场效应管的源极与所述电压调节模块的一相位引脚相连，并通过所述第一电容与所述电压调节模块的一驱动引脚相连，同时还通过所述第一电感与一内存控制中心相连，所述第一NMOS场效应管的漏极与一系统电源相连；所述第二NMOS场效应管的栅极与所述电压调节模块的一低端门极驱动输出引脚相连，所述第二NMOS场效应管的源极接地，其漏极与所述第一NMOS场效应管的源极及所述延时电路相连；其中，所述电压调节模块的高端门极驱动输出引脚及低端门极驱动输出引脚分别用于驱动所述第一NMOS场效应管及第二NMOS场效应管，所述相位引脚输出一电压脉冲信号通过所述第一NMOS场效应管及第二NMOS场效应管交替导通为所述内存控制中心供电。 【当前权利人】鸿富锦精密工业(深圳)有限公司; 鸿海精密工业股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市宝安区龙华镇油松第十工业区东环二路2号; 中国台湾新北市土城区中山路66号 【专利权人类型】有限责任公司(外国法人独资) 【统一社会信用代码】914403007084307436 【被引证次数】5 【被他引次数】5.0 【家族引证次数】9.0 【家族被引证次数】15
