【摘要】 本发明涉及发光二极管的芯片结构，该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层，所述的钝化层叠置于电流扩展层之上，所述的电流扩展层上至少设置有一个孔，钝化层通过该孔与外延层接触到一起；本发明通过在电流扩展层上设置至少一个孔，暴露出处延片表面使之与覆盖其上的钝化层形成更可靠的接触，从而保护电流扩展层与处延层之间的良好接触，该发光二极管的制作工艺方便，可显著改善芯片电流扩展和提高发光二极管的封装合格率和可靠性。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518107 广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】宝安区 【申请号】CN200810218305.4 【申请日】2008-12-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101752479A 【公开公告日】2010-06-23 【公开公告年份】2010 【IPC分类号】H01L33/00 【发明人】吴大可; 朱国雄; 张坤 【主权项内容】一种发光二极管的芯片结构，该芯片包括衬底、外延层、电流扩展层、N电极、P压焊点和钝化层，所述的钝化层叠置于电流扩展层之上，其特征在于：所述的电流扩展层上至少设置有一个孔，钝化层通过该孔与外延层接触到一起。 【当前权利人】深圳世纪晶源华芯有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市光明新区高新技术产业园化合物半导体产业基地(世纪晶源) 【专利权人类型】有限责任公司(中外合资) 【统一社会信用代码】91440300664191540P 【被引证次数】3 【被他引次数】3.0 【家族被引证次数】3
