【摘要】 本发明涉及电数字数据处理领域，尤其涉及一种半导体存储介质的寿命获 取方法、系统及装置。所述寿命获取方法包括如下步骤：建立半导体存储介质 寿命模型，半导体存储介质寿命模型中包括半导体存储介质的寿命信息；获取 半导体存储介质的寿命信息。本发明通过将半导体存储介质的寿命信息以表的 形式记录起来，形成寿命表，从而建立包含半导体存储介质各种寿命信息的寿 命模型，以便于使用。然后从此寿命模型中获取各种寿命信息。通过这种方法 获得的半导体存储介质的寿命信息可以经过计算后显示或者进行其他方式的寿 命提示，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份，保护了数据的 安全性，避免了数据的丢失。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳市朗科科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810068481.4 【申请日】2008-07-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625902A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101625902B 【授权公告日】2013-07-10 【授权公告年份】2013.0 【发明人】卢赛文 【主权项内容】1、一种半导体存储介质寿命获取方法，其特征在于，包括如下步骤： 建立半导体存储介质寿命模型，半导体存储介质寿命模型中包括半导体 存储介质的寿命信息； 获取半导体存储介质的寿命信息。 【当前权利人】深圳市朗科科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【专利权人类型】股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91440300708442322G 【被引证次数】4 【家族被引证次数】4
