【摘要】 本发明公开一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法及装 置，属于通信技术领域，该方法包括：将至少四个虚容器VC分别映射在同步 动态随机存储器SDRAM的四个存储库Bank中；将同步动态随机存储器 SDRAM写请求分别写入VC的写请求先进先出FIFO寄存器中；将同步动态 随机存储器SDRAM读请求分别写入VC的读请求先进先出FIFO寄存器中； 轮询VC的写请求FIFO寄存器和轮询VC的读请求FIFO寄存器，减少SDRAM 操作的无用开销，从而提高了SDH虚级联延时补偿缓存的效率。 【专利类型】发明申请 【申请人】中兴通讯股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810118624.8 【申请日】2008-08-20 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101656586A 【公开公告日】2010-02-24 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101656586B 【授权公告日】2013-08-07 【授权公告年份】2013.0 【发明人】冯景斌 【主权项内容】1.一种提高同步数字体系虚级联延时补偿缓存效率的方法，其特征在于， 所述方法包括： 将至少四个虚容器VC分别映射在同步动态随机存储器SDRAM的四个存 储库Bank中； 将同步动态随机存储器SDRAM写请求分别写入VC的写请求先进先出 FIFO寄存器中；将同步动态随机存储器SDRAM读请求分别写入VC的读请 求先进先出FIFO寄存器中； 轮询所述VC的写请求FIFO寄存器和轮询所述VC的读请求FIFO寄存器。 【当前权利人】中兴通讯股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦法务部 【专利权人类型】上市股份有限公司 【统一社会信用代码】9144030027939873X7 【被引证次数】TRUE 【家族被引证次数】TRUE
