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基准源启动电路专利

发布时间:2026-07-03

【摘要】 本发明涉及基准源启动电路,为解决启动基准源电路额外消耗功耗以及基准源电路启动速度慢的问题,提供一种基准源启动电路,包括循环控制电路(1)、控制电路(3),以及分别提供镜像电流给循环控制电路(1)和控制电路(3)的电流镜电路(2)。本发明的基准源启动电路还包括提供窄脉冲信号到控制电路(3)的脉冲生成电路(4),进而使电流镜电路(2)重新导通。实施本发明的电路,一方面有很低的功耗,在电路启动后功耗为零;另一方面利用窄脉冲生成器辅助启动电路,能加速基准源电路启动,抑制由于启动电路的不稳而引起系统的振荡,并且解决了Enable信号启动电路的问题。 【专利类型】发明授权 【申请人】辉芒微电子(深圳)有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区科技园高新南一道国微大厦4楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810065029.2 【申请日】2008-01-09 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101482761B 【公开公告日】2010-09-01 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101482761B 【授权公告日】2010-09-01 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】G05F3/26 【发明人】谷文浩; 谭润钦; 汪明亮 【主权项内容】一种基准源启动电路,其特征在于,包括循环控制电路(1)、控制电路(3),以及分别提供镜像电流给循环控制电路(1)和控制电路(3)的电流镜电路(2),使所述循环控制电路(1)输出端电位(V1)被拉低进而启动基准源电路,以及使所述控制电路(3)电位被镜像电流拉高进而使所述电流镜电路(2)在基准源电路启动后关断;其中所述电流镜电路(2)包括电流镜PMOS管M1和电流镜PMOS管M2,所述电流镜PMOS管M1和电流镜PMOS管M2的栅极与所述控制电路(3)相连,源极同时接电源(VDD),所述电流镜PMOS管M1的漏极接所述循环控制电路(1)输入端,所述电流镜PMOS管M2的漏极与所述控制电路(3)相连;所述控制电路(3)包括电容器C1,所述电容器C1一端接地,另一端与所述电流镜电路(2)相连;所述循环控制电路(1)包括NMOS管M3、NMOS管M4和NMOS管M5,所述NMOS管M3、NMOS管M4和NMOS管M5的源极接地,所述NMOS管M3的栅极连接基准源电路的基准电压(Vref),漏极接所述电流镜电路(2)输出端,所述NMOS管M4的栅极连接使能信号的反向信号,漏极接所述电流镜电路(2)输出端,所述NMOS管M5的栅极连接所述电流镜电路(2)输出端,漏极与基准源电路连接。 【当前权利人】辉芒微电子(深圳)股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区科技园科技南十二路长虹科技大厦10楼5-8室 【引证次数】4.0 【他引次数】4.0 【家族引证次数】4.0 【家族被引证次数】4

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