【摘要】 半导体存储介质的寿命显示方法和使用该方法的系统及装置，所述方法包 括步骤：获取半导体存储介质寿命信息；显示半导体存储介质寿命信息。所述 获取和显示的半导体存储介质寿命信息包括：获取半导体存储介质的最大寿命、 半导体存储介质的平均寿命、寿命阈值和/或所有物理块的寿命。本发明采用了 显示寿命的方式来实现半导体存储介质的寿命的提示，使用户知道半导体存储 介质的老化程度并在达到使用极限之前做出提示，在使用时知道半导体存储介 质寿命何时达到极限，这样可以在存储设备老化前对重要数据及时进行备份， 保护了数据的安全性，避免了数据的丢失。 【专利类型】发明申请 【申请人】深圳市朗科科技股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810068479.7 【申请日】2008-07-10 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101625900A 【公开公告日】2010-01-13 【公开公告年份】2010 【发明人】卢赛文 【主权项内容】1.一种半导体存储介质寿命显示方法，其特征在于，包括步骤： 获取半导体存储介质寿命信息； 显示半导体存储介质寿命信息。 【当前权利人】深圳市朗科科技股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新南一道中国科技开发院孵化大楼六楼 【专利权人类型】股份有限公司(上市) 【统一社会信用代码】91440300708442322G 【被引证次数】2 【家族被引证次数】2
