【摘要】 本发明公开了同步整流自驱动电路，包括：驱动绕组；第一限幅电路，其输入端连接至驱动绕组的一端，其输出端连接至延时电路的一端，以及其接地端连接至等效接地；第一加速关断电路，其控制端连接至驱动绕组的另一端，输出端作为同步整流自驱动电路的输出端，其接地端连接至等效接地；以及第一延时电路，其一端连接至第一限幅电路的输出端，其另一端连接至第一加速关断电路的输出端。通过本发明，提供了一种可以改善驱动电压尖峰幅值、减小驱动电压幅值变化、损耗小、成本低、应用范围广的同步整流自驱动电路。 【专利类型】发明授权 【申请人】中兴通讯股份有限公司 【申请人类型】企业 【申请人地址】518057 广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 【申请人地区】中国 【申请人城市】深圳市 【申请人区县】南山区 【申请号】CN200810004176.9 【申请日】2008-01-23 【申请年份】2008 【公开公告号】CN101267158B 【公开公告日】2010-08-04 【公开公告年份】2010 【授权公告号】CN101267158B 【授权公告日】2010-08-04 【授权公告年份】2010.0 【IPC分类号】H02M3/125 【发明人】欧阳玉叶; 曾新文 【主权项内容】一种同步整流自驱动电路，其特征在于，包括：驱动绕组；第一限幅电路，其输入端连接至所述驱动绕组的一端，其输出端连接至延时电路的一端，以及其接地端连接至等效接地；第一加速关断电路，其控制端连接至所述驱动绕组的另一端，输出端作为所述同步整流自驱动电路的输出端，其接地端连接至所述等效接地；以及第一延时电路，其所述一端连接至所述第一限幅电路的输出端，其另一端连接至所述第一加速关断电路的输出端；所述第一限幅电路包括：MOS晶体管，其源极连接至所述第一延时电路的一端；限流电阻，连接在所述驱动绕组的一端与所述MOS晶体管的漏极之间；偏置电阻，连接在所述MOS晶体管的漏极和栅极之间；箝位二极管，其阴极连接至所述MOS晶体管的栅极以及其阳极连接至反压二极管的阳极；以及所述反压二极管，所述阳极连接至所述箝位二极管的阳极以及其阴极连接至所述等效接地。 【当前权利人】中兴通讯股份有限公司 【当前专利权人地址】广东省深圳市南山区高新技术产业园科技南路中兴通讯大厦 【专利权人类型】上市股份有限公司 【统一社会信用代码】9144030027939873X7 【引证次数】2.0 【被引证次数】4 【自引次数】1.0 【他引次数】1.0 【被他引次数】4.0 【家族引证次数】2.0 【家族被引证次数】4
